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STU6N60M2备选型号: STU7N60M2
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA360W Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99STU6N1Single60W9.5 nsN-Channel1.2 Ω @ 2.25A, 10V4V @ 250μA232pF @ 100V13.5nC @ 10V7.4ns600V±25V22.5 ns4.5A25V650V6.2mm6.6mm2.4mm无ROHS3 Compliant----------
Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA35A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99STU7N1Single60W7.6 nsN-Channel950m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA271pF @ 100V8.8nC @ 10V7.2ns600V±25V15.9 ns5A25V-6.2mm6.6mm2.4mm无ROHS3 CompliantSILICON3增强型MOSFETDRAINSWITCHING5A0.95Ohm20A600V99 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FCU5N60TU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 600V 4.6A I-PAK | 对比 |
| STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
| STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
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