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首页 全部分类 STU80N4F6 vs AUIRFU8401

STU80N4F6备选型号: AUIRFU8401

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  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 已出版
  • 通道数量
  • 功率耗散
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STU80N4F6
    STMicroelectronics
    MOSFET N CH 40V 80A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Obsolete
    不适用
    EAR99
    STU80
    Single
    10.5 ns
    N-Channel
    6.3m Ω @ 40A, 10V
    4V @ 250μA
    2150pF @ 25V
    36nC @ 10V
    7.6ns
    ±20V
    11.9 ns
    80A
    20V
    40V
    6.2mm
    6.6mm
    2.4mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    AUIRFU8401
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    7.9 ns
    N-Channel
    4.25m Ω @ 60A, 10V
    3.9V @ 500μA
    2200pF @ 25V
    63nC @ 10V
    34ns
    ±20V
    24 ns
    100A
    20V
    -
    6.22mm
    6.73mm
    2.39mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    26 Weeks
    2013
    1
    79W
    40V
    无SVHC
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLU8726PBF IRLU8726PBF Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA MOSFET N-CH 30V 86A IPAK 对比