STU8N65M5备选型号: IPU60R600C6BKMA1

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 已出版
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏源电压 (Vdss)
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    7A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STU8N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    70W
    50 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 250μA
    690pF @ 100V
    15nC @ 10V
    14ns
    ±25V
    11 ns
    7A
    4V
    25V
    7A
    0.6Ohm
    650V
    28A
    6.9mm
    6.6mm
    2.4mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 7.3A 3-Pin(3 Tab) TO-251 Tube
    通孔
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    no
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    3
    Single
    增强型MOSFET
    63W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    13 ns
    7.3A
    -
    20V
    -
    0.6Ohm
    650V
    -
    6.22mm
    6.73mm
    2.41mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2012
    未说明
    未说明
    600V
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