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首页 全部分类 STW10NK80Z vs SPW11N80C3FKSA1

STW10NK80Z备选型号: SPW11N80C3FKSA1

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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
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  • 宽度
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  • 已出版
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  • 资历状况
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STW10NK80Z
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    9A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    900mOhm
    Tin (Sn)
    800V
    9A
    STW10N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    160W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 4.5A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2180pF @ 25V
    72nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    17 ns
    9A
    3.75V
    30V
    9A
    800V
    290 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW11N80C3FKSA1
    Infineon Technologies
    In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
    -
    18 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 7.1A, 10V
    3.9V @ 680μA
    1600pF @ 100V
    85nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    11A
    -
    470 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    2005
    yes
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    800V
    0.45Ohm
    33A
    800V
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