您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STW11NK100Z vs STW12NK80Z

STW11NK100Z备选型号: STW12NK80Z

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STW11NK100Z
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 1KV 8.3A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    9.071847g
    SILICON
    8.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    1.38Ohm
    Tin (Sn)
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    1kV
    8.3A
    STW11N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.38 Ω @ 4.15A, 10V
    4.5V @ 100μA
    3500pF @ 25V
    162nC @ 10V
    18ns
    1000V
    ±30V
    55 ns
    8.3A
    3.75V
    TO-247AC
    30V
    9A
    1kV
    550 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STW12NK80Z
    STMicroelectronics
    Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    4.535924g
    SILICON
    10.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    750mOhm
    Tin (Sn)
    -
    800V
    10.5A
    STW12N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    750m Ω @ 5.25A, 10V
    4.5V @ 100μA
    2620pF @ 25V
    87nC @ 10V
    18ns
    -
    ±30V
    20 ns
    10.5A
    3.75V
    TO-247AC
    30V
    -
    800V
    400 mJ
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    42A
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STW11NK90Z STW11NK90Z STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N Ch 900V Zener SuperMESH 9.2A 对比
FQH8N100C FQH8N100C ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 N-channel Power Mosfet, Qfet®, 1000 V, 8.0 A, 1.45 ?, TO-247 对比
STW12NK95Z STW12NK95Z STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube 对比