显示的结果

'fqh8n100c'

1结果
  • 所有品牌

对比

图片

产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

质量

晶体管元件材料

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

端子表面处理

峰值回流焊温度(摄氏度)

时间@峰值回流温度-最大值(s)

资历状况

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

下降时间(典型值)

连续放电电流(ID)

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

雪崩能量等级(Eas)

高度

长度

宽度

达到SVHC

RoHS状态

FQH8N100C
FQH8N100C
ON Semiconductor 数据表

450 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

4 Weeks

通孔

通孔

TO-247-3

3

6.39g

SILICON

1

225W Tc

122 ns

8A Tc

10V

5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tube

2013

QFET®

e3

yes

活跃

1 (Unlimited)

3

EAR99

Tin (Sn)

未说明

未说明

不合格

Single

增强型MOSFET

225W

50 ns

N-Channel

SWITCHING

1.45 Ω @ 4A, 10V

3220pF @ 25V

70nC @ 10V

95ns

1000V

±30V

80 ns

8A

TO-247AB

30V

8A

1kV

850 mJ

20.82mm

15.87mm

4.82mm

not_compliant

ROHS3 Compliant