ON Semiconductor FQH8N100C

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

引脚数

3

质量

6.39g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

225W Tc

Turn Off Delay Time

122 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

QFET®

已出版

2013

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

资历状况

不合格

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

225W

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.45 Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3220pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

70nC @ 10V

上升时间

95ns

漏源电压 (Vdss)

1000V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

8A

JEDEC-95代码

TO-247AB

栅极至源极电压(Vgs)

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

1kV

雪崩能量等级（Eas）

850 mJ

高度

20.82mm

长度

15.87mm

宽度

4.82mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant