对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 资历状况 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏源击穿电压 | 雪崩能量等级(Eas) | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | RoHS状态 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQH8N100C | ON Semiconductor | 数据表 | 450 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 4 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-247-3 | 3 | 6.39g | SILICON | 1 | 225W Tc | 122 ns | 8A Tc | 10V | 5V @ 250μA | -55°C~150°C TJ | Tube | 2013 | QFET® | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | 未说明 | 未说明 | 不合格 | Single | 增强型MOSFET | 225W | 50 ns | N-Channel | SWITCHING | 1.45 Ω @ 4A, 10V | 3220pF @ 25V | 70nC @ 10V | 95ns | 1000V | ±30V | 80 ns | 8A | TO-247AB | 30V | 8A | 1kV | 850 mJ | 20.82mm | 15.87mm | 4.82mm | not_compliant | ROHS3 Compliant |


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