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首页 全部分类 STW11NM80 vs STW15NM60ND

STW11NM80备选型号: STW15NM60ND

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JEDEC-95代码
  • STMicroelectronics
    STW11NM80
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    11A Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    400mOhm
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    800V
    11A
    STW11N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    400m Ω @ 5.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1630pF @ 25V
    43.6nC @ 10V
    17ns
    ±30V
    15 ns
    5.5A
    4V
    30V
    800V
    44A
    400 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STW15NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    299mOhm
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    STW15N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    299m Ω @ 7A, 10V
    5V @ 250μA
    1250pF @ 50V
    40nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    28 ns
    14A
    4V
    25V
    600V
    56A
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    TO-247AC
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