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首页 全部分类 STW13N60M2 vs IPW65R280C6FKSA1

STW13N60M2备选型号: IPW65R280C6FKSA1

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  • 宽度
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  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 操作模式
  • 晶体管应用
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW13N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW13N
    1
    Single
    110W
    11 ns
    N-Channel
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    4V @ 250μA
    580pF @ 100V
    17nC @ 10V
    10ns
    600V
    ±25V
    9.5 ns
    11A
    25V
    20.15mm
    15.75mm
    5.75mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R280C6FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    -
    -
    104W
    13 ns
    N-Channel
    280m Ω @ 4.4A, 10V
    3.5V @ 440μA
    950pF @ 100V
    45nC @ 10V
    11ns
    -
    ±20V
    12 ns
    13.8A
    20V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    SILICON
    2009
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    SWITCHING
    650V
    0.28Ohm
    39A
    290 mJ
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