您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 STW13NK100Z vs SPW11N80C3FKSA1

STW13NK100Z备选型号: SPW11N80C3FKSA1

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 表面安装
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STW13NK100Z
    STMicroelectronics
    N-Channel 1 kV 0.7 O 350 W Zener Protected SuperMESH Power MosFet - TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    9.071847g
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    700mOhm
    Tin (Sn)
    1kV
    13A
    STW13N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    45 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    700m Ω @ 6.5A, 10V
    4.5V @ 150μA
    6000pF @ 25V
    266nC @ 10V
    35ns
    1000V
    ±30V
    45 ns
    13A
    3.75V
    TO-247AC
    30V
    1kV
    52A
    700 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW11N80C3FKSA1
    Infineon Technologies
    In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1
    -
    18 Weeks
    -
    通孔
    TO-247-3
    -
    -
    SILICON
    11A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    450m Ω @ 7.1A, 10V
    3.9V @ 680μA
    1600pF @ 100V
    85nC @ 10V
    -
    800V
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    33A
    470 mJ
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    NO
    2005
    yes
    雪崩 额定
    SINGLE
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    11A
    0.45Ohm
    800V
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
STW12NK90Z STW12NK90Z STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-Ch 900 Volt 11 Amp Zener SuperMESH 对比
STW12NK80Z STW12NK80Z STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3 Tab) TO-247 Tube 对比
SPW11N80C3FKSA1 SPW11N80C3FKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 In a Tube of 30, N-Channel MOSFET, 11 A, 800 V, 3-Pin TO-247 Infineon SPW11N80C3FKSA1 对比