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首页 全部分类 STW15NM60ND vs STW22NM60N

STW15NM60ND备选型号: STW22NM60N

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STW15NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    14A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    299mOhm
    Tin (Sn)
    STW15N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    299m Ω @ 7A, 10V
    5V @ 250μA
    1250pF @ 50V
    40nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    28 ns
    14A
    4V
    TO-247AC
    25V
    600V
    56A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW22NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    STW22N
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1330pF @ 50V
    44nC @ 10V
    -
    ±30V
    38 ns
    16A
    3V
    -
    30V
    -
    64A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    雪崩 额定
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    600V
    0.22Ohm
    600V
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