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首页 全部分类 STW18N60M2 vs STW18NM60ND

STW18N60M2备选型号: STW18NM60ND

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  • 端子位置
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STW18N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    STW18N
    R-PSFM-T3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    791pF @ 100V
    21.5nC @ 10V
    600V
    ±25V
    13A
    0.28Ohm
    52A
    600V
    135 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW18NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.25Ohm 13A Fdmesh II
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    13A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    STW18N
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 6.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1030pF @ 50V
    34nC @ 10V
    600V
    ±25V
    13A
    0.29Ohm
    52A
    -
    187 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    Single
    55 ns
    15.5ns
    18 ns
    25V
    650V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无
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STW19NM60N STW19NM60N STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 对比