STMicroelectronics STW18N60M2

工厂交货时间

16 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 250μA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

MDmesh™ II Plus

零件状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

基本部件号

STW18N

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

280m Ω @ 6.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

791pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

21.5nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

连续放电电流(ID)

13A

漏极-源极导通最大电阻

0.28Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52A

DS 击穿电压-最小值

600V

雪崩能量等级（Eas）

135 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅