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首页 全部分类 STW18NM60N vs IPW65R280C6FKSA1

STW18NM60N备选型号: IPW65R280C6FKSA1

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  • 资历状况
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW18NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    285mOhm
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    STW18N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    80W
    12 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    285m Ω @ 6.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1000pF @ 50V
    35nC @ 10V
    15ns
    600V
    ±25V
    25 ns
    13A
    3V
    25V
    52A
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R280C6FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 13.8A TO247
    -
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    SINGLE
    -
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    104W
    13 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    280m Ω @ 4.4A, 10V
    3.5V @ 440μA
    950pF @ 100V
    45nC @ 10V
    11ns
    -
    ±20V
    12 ns
    13.8A
    -
    20V
    39A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    2009
    yes
    未说明
    未说明
    R-PSFM-T3
    不合格
    650V
    0.28Ohm
    290 mJ
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