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首页 全部分类 STW22NM60N vs STW24NM60N

STW22NM60N备选型号: STW24NM60N

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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 宽度
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  • 电阻
  • 元素配置
  • 上升时间
  • 漏源击穿电压
  • STMicroelectronics
    STW22NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 16A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    16A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    SINGLE
    STW22N
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    125W
    11 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1330pF @ 50V
    44nC @ 10V
    600V
    ±30V
    38 ns
    16A
    3V
    30V
    0.22Ohm
    64A
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW24NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 17A TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    STW24N
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    11.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    -
    ±30V
    37 ns
    17A
    3V
    30V
    -
    68A
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    190MOhm
    Single
    16.5ns
    600V
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