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首页 全部分类 STW24NM60N vs STW23NM50N

STW24NM60N备选型号: STW23NM50N

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 漏源电压 (Vdss)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW24NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 17A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    1
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190MOhm
    STW24N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    11.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8A, 10V
    4V @ 250μA
    1400pF @ 50V
    46nC @ 10V
    16.5ns
    ±30V
    37 ns
    17A
    3V
    30V
    600V
    68A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW23NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 500V 17A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    17A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    190mOhm
    STW23N
    3
    -
    增强型MOSFET
    125W
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    190m Ω @ 8.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1330pF @ 50V
    45nC @ 10V
    19ns
    ±25V
    29 ns
    17A
    3V
    25V
    -
    68A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    e3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    500V
    500V
    254 mJ
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