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首页 全部分类 STW26NM50 vs STW43NM60ND

STW26NM50备选型号: STW43NM60ND

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 最大结点温度（Tj）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • STMicroelectronics
    STW26NM50
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    9.071847g
    SILICON
    30A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    120mOhm
    500V
    30A
    STW26N
    3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    313W
    28 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    120m Ω @ 13A, 10V
    5V @ 250μA
    3000pF @ 25V
    106nC @ 10V
    15ns
    ±30V
    19 ns
    30A
    3V
    30V
    26A
    500V
    740 mJ
    150°C
    24.45mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • STMicroelectronics
    STW43NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II
    -
    -
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    -
    SILICON
    35A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    88mOhm
    -
    -
    STW43N
    3
    -
    Single
    增强型MOSFET
    255W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    4300pF @ 50V
    145nC @ 10V
    40ns
    ±25V
    50 ns
    35A
    4V
    25V
    -
    600V
    -
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Matte Tin (Sn) - annealed
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