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首页 全部分类 STW28N65M2 vs IPW65R150CFDFKSA1

STW28N65M2备选型号: IPW65R150CFDFKSA1

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  • 长度
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 功率耗散
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  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STW28N65M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 20A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW28N
    Single
    增强型MOSFET
    13.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    180m Ω @ 10A, 10V
    4V @ 250μA
    1440pF @ 100V
    35nC @ 10V
    650V
    ±25V
    20A
    25V
    0.18Ohm
    80A
    650V
    760 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW65R150CFDFKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    SILICON
    22.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    未说明
    未说明
    -
    Single
    增强型MOSFET
    12.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    150m Ω @ 9.3A, 10V
    4.5V @ 900μA
    2340pF @ 100V
    86nC @ 10V
    -
    ±20V
    22.4A
    20V
    -
    72A
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    2011
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    3
    R-PSFM-T3
    195.3W
    7.6ns
    5.6 ns
    650V
    700V
    无铅
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