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首页 全部分类 STW30NM60N vs IPW60R125P6XKSA1

STW30NM60N备选型号: IPW60R125P6XKSA1

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  • 配置
  • 箱体转运
  • 无卤素
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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STW30NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    25A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    130mOhm
    TIN
    未说明
    unknown
    未说明
    STW30N
    3
    R-PSFM-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 12.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2700pF @ 50V
    91nC @ 10V
    24ns
    ±30V
    70 ns
    25A
    TO-247AC
    30V
    600V
    900 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPW60R125P6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    30A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    Tin (Sn)
    未说明
    -
    未说明
    -
    -
    R-PSFM-T3
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    125m Ω @ 11.6A, 10V
    4.5V @ 960μA
    2660pF @ 100V
    56nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    30A
    -
    -
    -
    636 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    2008
    yes
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    DRAIN
    无卤素
    600V
    0.125Ohm
    87A
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