STW30NM60N备选型号: STW35N60DM2
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 引脚数
- ECCN 代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 阈值电压
- 达到SVHC
- MOSFET N-channel 600V, 25A Power II Mdmesh通孔通孔TO-247-3SILICON25A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIe3Obsolete1 (Unlimited)3130mOhmTIN未说明unknown未说明STW30N3R-PSFM-T3不合格Single增强型MOSFET190WN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 12.5A, 10V4V @ 250μA2700pF @ 50V91nC @ 10V24ns±30V70 ns25ATO-247AC30V600V900 mJROHS3 Compliant无铅-------
- STMICROELECTRONICS STW35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V通孔通孔TO-247-3-28A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ DM2-活跃1 (Unlimited)---未说明-未说明STW35N------N-Channel-110m Ω @ 14A, 10V5V @ 250μA2400pF @ 100V54nC @ 10V-±25V-28A----ROHS3 Compliant-ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks3EAR99600V4V无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW33N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STW34NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V 29A TO-247 | 对比 |
![]() | IPW60R125P6XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 600V TO247-3 | 对比 |




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