STW32NM50N备选型号: IPW65R150CFDFKSA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 无铅代码
- 引脚数量
- 接通延迟时间
- 最大双电源电压
- MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FETACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON22A Tc150°C TJTubeMDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)未说明not_compliant未说明STW32NR-PSFM-T3Single增强型MOSFET190WN-ChannelSWITCHING130m Ω @ 11A, 10V4V @ 250μA1973pF @ 50V62.5nC @ 10V9.5ns±25V23.6 ns22A25V500V88A340 mJROHS3 Compliant无铅-----
- MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS-18 Weeks通孔通孔TO-247-3SILICON22.4A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™e3活跃1 (Unlimited)3-Tin (Sn)未说明-未说明-R-PSFM-T3Single增强型MOSFET195.3WN-ChannelSWITCHING150m Ω @ 9.3A, 10V4.5V @ 900μA2340pF @ 100V86nC @ 10V7.6ns±20V5.6 ns22.4A20V700V72A-ROHS3 Compliant无铅2011yes312.4 ns650V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPW65R150CFDFKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET HIGH POWER_BEST IN CLASS | 对比 |
![]() | STW28N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
![]() | STW28NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 | 对比 |




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