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首页 全部分类 STW32NM50N vs STW33N60M2

STW32NM50N备选型号: STW33N60M2

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  • 基本部件号
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  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STW32NM50N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500V 0.13 Ohm 22A MDmesh II FET
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    22A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STW32N
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    N-Channel
    SWITCHING
    130m Ω @ 11A, 10V
    4V @ 250μA
    1973pF @ 50V
    62.5nC @ 10V
    9.5ns
    ±25V
    23.6 ns
    22A
    25V
    500V
    88A
    340 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW33N60M2
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 650V 26A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    26A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II Plus
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    未说明
    -
    未说明
    STW33N
    -
    Single
    -
    190W
    N-Channel
    -
    125m Ω @ 13A, 10V
    4V @ 250μA
    1781pF @ 100V
    45.5nC @ 10V
    9.6ns
    ±25V
    9 ns
    26A
    25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    38.000013g
    1
    16 ns
    600V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
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