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首页 全部分类 STW3N150 vs STW8NK80Z

STW3N150备选型号: STW8NK80Z

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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    STW3N150
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    2.5A Tc
    150°C TJ
    Tube
    PowerMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STW3N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    24 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    9 Ω @ 1.3A, 10V
    5V @ 250μA
    939pF @ 25V
    29.3nC @ 10V
    47ns
    1500V
    ±30V
    61 ns
    1.3A
    4V
    30V
    2.5A
    9Ohm
    1.5kV
    450 mJ
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW8NK80Z
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 6.2A TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    6.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STW8N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    140W
    17 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5 Ω @ 3.1A, 10V
    4.5V @ 100μA
    1320pF @ 25V
    46nC @ 10V
    30ns
    -
    ±30V
    28 ns
    6.2A
    3.75V
    30V
    -
    -
    800V
    -
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    800V
    6.2A
    24.8A
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