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STW42N65M5备选型号: STW34NM60ND
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
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- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 附加功能
- 箱体转运
MOSFET N-CH 650V 33A TO-247ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICONSTW42N65M533A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)3EAR9979mOhmTin (Sn)STW42N31Single增强型MOSFET190W61 nsN-ChannelSWITCHING79m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA4650pF @ 100V100nC @ 10V24ns±25V13 ns33A4V25V650V950 mJ150°C24.45mm15.75mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD-16 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON-29A Tc150°C TJTubeFDmesh™ IIe3活跃1 (Unlimited)3EAR99110MOhm-STW34N3-Single增强型MOSFET190W30 nsN-ChannelSWITCHING110m Ω @ 14.5A, 10V5V @ 250μA2785pF @ 50V80.4nC @ 10V53.4ns±25V61.8 ns29A4V25V600V--20.15mm15.75mm5.15mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅TinULTRA-LOW RESISTANCEDRAIN
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STW34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A FDmesh II FD | 对比 |
| STW48N60DM2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V | 对比 |
| STW43NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-channel 600V, 35A FDMesh II | 对比 |
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