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首页 全部分类 STW47NM60ND vs SPW32N50C3FKSA1

STW47NM60ND备选型号: SPW32N50C3FKSA1

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  • 场效应管类型
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  • 配置
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  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW47NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 600V 0.075 Ohm 35A FDmesh II
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    35A Tc
    150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    88MOhm
    Tin (Sn)
    STW47N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    255W
    30 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    88m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    4200pF @ 50V
    120nC @ 10V
    40ns
    ±25V
    50 ns
    35A
    25V
    600V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    SPW32N50C3FKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 560V 32A TO-247
    -
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    32A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™
    e3
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    Tin (Sn)
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    -
    -
    N-Channel
    -
    110m Ω @ 20A, 10V
    3.9V @ 1.8mA
    4200pF @ 25V
    170nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    NO
    2005
    yes
    AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
    SINGLE
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    560V
    TO-247AA
    32A
    0.11Ohm
    96A
    500V
    1100 mJ
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