STW54NM65ND备选型号: IPW65R048CFDAFKSA1

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  • 工厂交货时间
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  • JESD-609代码
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  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 接通延迟时间
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.055 Ohm 49A FDmesh II
    42 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    49A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    65MOhm
    Tin (Sn)
    STW54N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    350W
    N-Channel
    SWITCHING
    65m Ω @ 24.5A, 10V
    5V @ 250μA
    6200pF @ 50V
    188nC @ 10V
    59ns
    ±25V
    98 ns
    49A
    25V
    650V
    850 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 63.3A 3-Pin(3 Tab) TO-247
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    63.3A Tc
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    3
    R-PSFM-T3
    -
    增强型MOSFET
    500W
    N-Channel
    SWITCHING
    48m Ω @ 29.4A, 10V
    4.5V @ 2.9mA
    7440pF @ 100V
    270nC @ 10V
    10ns
    ±20V
    4 ns
    63.3A
    20V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    yes
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    22 ns
    650V
    0.048Ohm
    228A
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