STW56N65M2备选型号: IPW65R045C7FKSA1
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- 工厂交货时间
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- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 元素配置
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 宽度
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- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 无铅
- MOSFET N-CH 650V 49A TO24716 WeeksACTIVE (Last Updated: 8 months ago)TO-247-3通孔通孔349A TcMDmesh™ M2Tube150°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99未说明未说明STW56NSingle19 nsN-Channel62m Ω @ 24.5A, 10V4V @ 250μA3900pF @ 100V93nC @ 10V650V±25V49A25V5.15mm15.75mm20.15mmROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-318 Weeks-TO-247-3通孔通孔346A TcCoolMOS™ C7Tube-55°C~150°C TJ活跃1 (Unlimited)-未说明未说明--20 nsN-Channel45m Ω @ 24.9A, 10V4V @ 1.25mA4340pF @ 400V93nC @ 10V-±20V46A20V--25.4mmROHS3 CompliantSILICON2008e33Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET227WDRAINSWITCHING14ns7 ns650V0.045Ohm650V249 mJ150°C无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STW57N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | STW57N65M5 Series 710 V 0.063 Ohm 42 A N-Channel MDmesh? V Power Mosfet - TO-247 | 对比 |
![]() | IPW65R045C7FKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3 | 对比 |
![]() | STW45N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS | 对比 |




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