STW57N65M5备选型号: IPW65R045C7FKSA1

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  • 电阻
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  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 配置
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 最大结点温度(Tj)
  • STMicroelectronics
    STW57N65M5 Series 710 V 0.063 Ohm 42 A N-Channel MDmesh? V Power Mosfet - TO-247
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    42A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    63mOhm
    STW57N
    Single
    250W
    73 ns
    N-Channel
    63m Ω @ 21A, 10V
    5V @ 250μA
    4200pF @ 100V
    98nC @ 10V
    15ns
    ±25V
    19 ns
    42A
    25V
    650V
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 46A TO-247-3
    -
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    46A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    227W
    20 ns
    N-Channel
    45m Ω @ 24.9A, 10V
    4V @ 1.25mA
    4340pF @ 400V
    93nC @ 10V
    14ns
    ±20V
    7 ns
    46A
    20V
    650V
    25.4mm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    2008
    e3
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    650V
    0.045Ohm
    249 mJ
    150°C
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