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首页 全部分类 STW65N65DM2AG vs FCH041N65F-F155

STW65N65DM2AG备选型号: FCH041N65F-F155

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  • 基本部件号
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STW65N65DM2AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 60A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    60A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW65N
    N-Channel
    50m Ω @ 30A, 10V
    5V @ 250μA
    5500pF @ 100V
    120nC @ 10V
    650V
    ±25V
    60A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCH041N65F-F155
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 650V 76A TO247
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    76A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FRFET®, SuperFET® II
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    41m Ω @ 38A, 10V
    5V @ 7.6mA
    13020pF @ 100V
    294nC @ 10V
    650V
    ±20V
    76A
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    44mOhm
    Tin (Sn)
    not_compliant
    R-PSFM-T3
    1
    Single
    增强型MOSFET
    60 ns
    SWITCHING
    47ns
    6.5 ns
    TO-247AB
    30V
    228A
    650V
    2025 mJ
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