STW70N60M2-4备选型号: FCH76N60N
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- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
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- 晶体管应用
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
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- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- POWER MOSFETACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks通孔TO-247-368A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ M2活跃1 (Unlimited)STW70NN-Channel40m Ω @ 34A, 10V4V @ 250μA5200pF @ 100V118nC @ 10V600V±25V68AROHS3 Compliant---------------------------
- MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOSACTIVE (Last Updated: 1 day ago)12 Weeks通孔TO-247-376A Tc-55°C~150°C TJTubeSupreMOS™活跃1 (Unlimited)-N-Channel36m Ω @ 38A, 10V4V @ 250μA12385pF @ 100V285nC @ 10V-±30V76AROHS3 Compliant通孔36.39gSILICON2013e3yes3EAR99Tin (Sn)Single增强型MOSFET543W34 nsSWITCHING24ns32 ns2V30V600V228A8022 mJ21mm15.95mm5.03mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | 对比 |
| FCH76N60N | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET 600V N-Chan MOSFET SupreMOS | 对比 |




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