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STY112N65M5备选型号: IPW65R019C7FKSA1
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- 零件状态
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- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
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- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
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- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
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- 达到SVHC
- 辐射硬化
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- 已出版
- 端子位置
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- 配置
- 箱体转运
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Trans MOSFET N-CH 650V 96A 3-Pin(3 Tab) Max247 TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON96A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)3EAR9922MOhmTin (Sn)雪崩能源评级STY1123Single增强型MOSFET625W267 nsN-ChannelSWITCHING22m Ω @ 47A, 10V5V @ 250μA16870pF @ 100V350nC @ 10V79ns650V±25V140 ns96A4V25V710V20.3mm5.9mm5.3mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅--------
Trans MOSFET N-CH 700V 75A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube-18 Weeks通孔通孔TO-247-33SILICON75A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™ C7e3活跃1 (Unlimited)3--Tin (Sn)----增强型MOSFET446W30 nsN-ChannelSWITCHING19m Ω @ 58.3A, 10V4V @ 2.92mA9900pF @ 400V215nC @ 10V27ns-±20V5 ns75A-20V------ROHS3 Compliant无铅2008SINGLE未说明未说明SINGLE WITH BUILT-IN DIODEDRAIN650V496A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPZ65R019C7XKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-4 | Trans MOSFET N-CH 700V 75A 4-Pin(4 Tab) TO-247 Tube | 对比 |
 | STW88N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh V | 对比 |
| STY105NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-247-3 | MOSFET N-CH 500V 110A MAX247 | 对比 |
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