Infineon Technologies IPZ65R019C7XKSA1

工厂交货时间

18 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-4

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

446W Tc

Turn Off Delay Time

106 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 2.92mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

CoolMOS™ C7

已出版

2008

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子表面处理

Tin (Sn)

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PSFM-T4

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

446W

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

19m Ω @ 58.3A, 10V

无卤素

无卤素

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9900pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

215nC @ 10V

上升时间

27ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

5 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

650V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

496A

雪崩能量等级（Eas）

583 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅