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首页 全部分类 SY100EL32VZG-TR vs CD40107BM

SY100EL32VZG-TR备选型号: CD40107BM

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  • 特征
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 器件厚度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    SY100EL32VZG-TR
    Microchip Technology
    IC DIVIDER X2 3.3/5V 8SOIC
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    1
    -40°C~85°C
    Tape & Reel (TR)
    100EL
    2006
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    3.3V~5V
    100EL32
    2
    650 ps
    30mA
    650 ps
    Asynchronous
    Up
    Divide-by-2
    Positive, Negative
    3GHz
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Texas Instruments
    CD40107BM
    Texas Instruments
    TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-8
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    3.5V ~ 11V
    -55°C~125°C
    Tube
    4000B
    -
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    3V~18V
    CD40107
    1
    100 ns
    20μA
    200 ns
    -
    -
    NAND门
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    Gold
    72.603129mg
    yes
    8
    DUAL
    鸥翼
    260
    2
    5V
    8
    3V
    2
    50pF
    136mA
    Buffer, NAND
    100ns @ 15V, 50pF
    4μA
    无
    开漏极态
    1.75mm
    4.9mm
    3.91mm
    1.58mm
    无SVHC
    无铅
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