SY10EP05VZG备选型号: MC100EP05DG
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- 输入数量
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- 阀门数量
- 高电平输出电流
- 低水平输出电流
- 施密特触发器输入
- RoHS状态
- 生命周期状态
- JESD-609代码
- 无铅代码
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- 端子表面处理
- 附加功能
- 包装方式
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源
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- 输出电流
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- IC GATE AND/NAND 2INP DIFF 8SOIC7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOIC1-40°C~85°CTube10EP2005活跃1 (Unlimited)85°C-40°C3V~5.5V10EP052Differential15.5V3V180 psAND, NAND2 Input (1, 1)AND/NAND Gate2-50mA50mA无ROHS3 Compliant-------------------------
- Logic; ECL; 3.3 V / 5 v; 2-Input Differential AND/NAND Gate; SOIC-84 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-1-40°C~85°CTube100EP2000活跃1 (Unlimited)--3V~5.5V100EP052Differential---270 psAND, NAND2 Input (1, 1)AND/NAND Gate--50mA50mA无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)e3yes8Tin (Sn)NECL MODE: VCC = 0V WITH VEE = -3V TO -5.5VRAILDUAL鸥翼26013.3V4085.5V-4.5V3V50mA320 ps无卤素1.4986mm4.9784mm3.9878mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MC100EP05DG | ON Semiconductor | 逻辑 - 逻辑门和逆变器 - 多功能,可配置 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Logic; ECL; 3.3 V / 5 v; 2-Input Differential AND/NAND Gate; SOIC-8 | 对比 | |
| MC10EP05DR2 | ON Semiconductor | 逻辑 - 逻辑门和逆变器 - 多功能,可配置 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC GATE AND/NAND ECL 2INP 8-SOIC | 对比 |



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