SY10EP05VZG-TR备选型号: CD40107BM
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- 底架
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
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- 电压 - 供电
- 基本部件号
- 输出的数量
- 输出类型
- 电路数量
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 逻辑功能
- 输入数量
- 逻辑类型
- 高电平输出电流
- 低水平输出电流
- 施密特触发器输入
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 引脚数量
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 通道数量
- 负载电容
- 输出电流
- 传播延迟
- 静态电流
- 接通延迟时间
- 最大传播延迟@V,最大CL
- 最大静态电流
- 特征
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 达到SVHC
- 无铅
- IC GATE AND/NAND 2INP DIFF 8SOIC7 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)88-SOIC1-40°C~85°CTape & Reel (TR)10EP2016活跃1 (Unlimited)85°C-40°C3V~5.5V10EP052Differential15.5V3VAND, NAND2 Input (1, 1)AND/NAND Gate-50mA50mA无ROHS3 Compliant----------------------------
- TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-86 Weeks表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)8-3.5V ~ 11V-55°C~125°CTube4000B-活跃1 (Unlimited)--3V~18VCD401071----Buffer, NAND-NAND门--无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 day ago)Gold72.603129mge4yes8DUAL鸥翼26025V83V250pF136mA100 ns20μA200 ns100ns @ 15V, 50pF4μA开漏极态1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无SVHC无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CD40107BM | Texas Instruments | 逻辑 - 逻辑门和逆变器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | TEXAS INSTRUMENTS CD40107BM NAND Buffer / Driver, 2 Input, 136 mA, 3V to 18V, SOIC-8 | 对比 |
| MC100EP16FD | ON Semiconductor | 逻辑 - 专用逻辑 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8SOIC | 对比 |




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