T483F备选型号: FDMA6023PZT

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  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 额定电流
  • 二极管类型
  • 平均整流电流(Io)
  • 电压 - 峰值反向(最大值)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 栅源电压
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Sensata-Crydom
    BRIDGE RECT 1P 1.2KV 10A MODULE
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    Module
    4
    Bulk
    2013
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    35A
    单相
    10A
    1.2kV
    符合RoHS标准
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  • ON Semiconductor
    Supplied as a Tape, Dual P-Channel MOSFET, 3.6 A, 20 V, 6-Pin MLP ON Semiconductor FDMA6023PZT
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-UDFN Exposed Pad
    6
    Tape & Reel (TR)
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
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    -
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    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    40mg
    SILICON
    3.6A
    -55°C~150°C TJ
    PowerTrench®
    e4
    yes
    6
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    1.4W
    Dual
    增强型MOSFET
    1.4W
    DRAIN
    13 ns
    700mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    60m Ω @ 3.6A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    885pF @ 10V
    17nC @ 4.5V
    11ns
    11 ns
    -3.6A
    -500mV
    8V
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    -500 mV
    150 pF
    500μm
    2mm
    2mm
    无SVHC
    无铅
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