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首页 全部分类 TBAS16,LM vs MMBD1202

TBAS16,LM备选型号: MMBD1202

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  • 二极管元件材料
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 反向泄漏电流@ Vr
  • 输出电流
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
  • 正向电流
  • 工作温度 - 结点
  • 正向电压
  • 反向恢复时间
  • 最大重复反向电压(Vrrm)
  • 峰值非恢复性浪涌电流
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TBAS16,LM
    Toshiba Semiconductor and Storage
    DIODE GEN PURP 80V 215MA SOT23-3
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-3 Flat Leads
    SOT-23-3
    Tape & Reel (TR)
    2016
    活跃
    1 (Unlimited)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    Standard
    80V
    215mA
    80V
    215mA
    符合RoHS标准
    -
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    -
  • ON Semiconductor
    MMBD1202
    ON Semiconductor
    Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    -
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
    Standard
    -
    -
    100V
    200mA
    符合RoHS标准
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
    3
    30mg
    SILICON
    1
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    150°C
    -55°C
    8541.10.00.70
    100V
    DUAL
    鸥翼
    200mA
    MMBD1202
    Single
    25nA @ 100V
    1A
    1V @ 200mA
    200mA
    150°C Max
    1.1V
    4 ns
    100V
    2A
    无
    无铅
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
MMBD1202 MMBD1202 ON Semiconductor 二极管 - 整流器 - 单 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Diodes - General Purpose, Power, Switching High Conductance Ultra Fast 对比