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首页 全部分类 TC1410EOA vs NCP5109ADR2G

TC1410EOA备选型号: NCP5109ADR2G

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  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 资历状况
  • 电源
  • 输出电流
  • 无卤素
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • Microchip Technology
    TC1410EOA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR .5A HS INV 8SOIC
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    470mW
    4.5V~16V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    16V
    40
    TC1410
    8
    2
    500mA
    1mA
    470mW
    1mA
    40 ns
    Inverting
    45 ps
    35ns
    35 ns
    25ns 25ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    0.045 μs
    0.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    YES
    0.045 μs
    1.42mm
    4.9mm
    3.91mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5109ADR2G
    ON Semiconductor
    Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
    15 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    -
    8
    -
    500mA
    -
    -
    -
    -
    Non-Inverting
    170 ns
    85ns
    35 ns
    85ns 35ns
    -
    Independent
    2
    0.17 μs
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    0.17 μs
    1.5mm
    5mm
    4mm
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    不合格
    15V
    500mA
    无卤素
    UNDER VOLTAGE
    200V
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