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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥14.598077
10
¥13.771773
100
¥12.992234
500
¥12.256825
1000
¥11.563048
ON Semiconductor NCP5109ADR2G
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- 对比
NCP5109ADR2G
1807-NCP5109ADR2G
PMIC - 栅极驱动器
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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Driver 0.5A 2-OUT Hi/Lo Side Half Brdg Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R
--最小包装量--
¥
总价: ¥
NCP5109ADR2G详情
ON Semiconductor NCP5109ADR2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
Driver Configuration
Half-Bridge
Logic voltage-VIL, VIH
0.8V 2.3V
Turn Off Delay Time
170 ns
操作温度
-40°C~125°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 供电
10V~20V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
电源电压
15V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
8
资历状况
不合格
最大输出电流
500mA
电源
15V
输出电流
500mA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
170 ns
无卤素
无卤素
上升时间
85ns
下降时间(典型值)
35 ns
上升/下降时间(Typ)
85ns 35ns
信道型
Independent
驱动器数量
2
接通时间
0.17 μs
闸门类型
IGBT, N-Channel MOSFET
峰值输出电流(源极,漏极)
250mA 500mA
关断时间
0.17 μs
内置保护器
UNDER VOLTAGE
高压侧电压-最大值(自举)
200V
高度
1.5mm
长度
5mm
宽度
4mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
NCP5109ADR2G拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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