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首页 全部分类 TC1410EPA vs NCP5111PG

TC1410EPA备选型号: NCP5111PG

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  • 下降时间（典型值）
  • 上升/下降时间(Typ)
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  • 信道型
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  • 接通时间
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  • 闸门类型
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  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 终端
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 输出电压
  • 电源
  • 无卤素
  • 内置保护器
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 输出电流流向
  • Microchip Technology
    TC1410EPA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR .5A HS INV 8DIP
    22 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    730mW
    4.5V~16V
    DUAL
    1
    16V
    TC1410
    8
    2
    500mA
    1mA
    730mW
    1mA
    40 ns
    Inverting
    45 ps
    35ns
    35 ns
    25ns 25ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    0.045 μs
    0.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    500mA 500mA
    YES
    0.045 μs
    4.06mm
    10.16mm
    6.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NCP5111PG
    ON Semiconductor
    IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
    19 Weeks
    通孔
    通孔
    8-DIP (0.300, 7.62mm)
    8
    Half-Bridge
    -40°C~125°C TJ
    Tube
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    10V~20V
    DUAL
    1
    15V
    NCP5111
    8
    -
    500mA
    5mA
    -
    5mA
    -
    Non-Inverting
    1.17 μs
    160ns
    75 ns
    85ns 35ns
    -
    Synchronous
    2
    -
    -
    IGBT, N-Channel MOSFET
    250mA 500mA
    -
    0.17 µs
    4.95mm
    10.16mm
    7.11mm
    无SVHC
    无
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 18 hours ago)
    SMD/SMT
    260
    40
    20V
    15V
    无卤素
    UNDER VOLTAGE
    600V
    水槽
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