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首页 全部分类 TC1412EOA vs IXDD609SIA

TC1412EOA备选型号: IXDD609SIA

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  • 峰值输出电流（源极，漏极）
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
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  • 无铅
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 输出的数量
  • 通道数量
  • 最大电源电压
  • 最小电源电压
  • 工作电源电流
  • 输出电流
  • Microchip Technology
    TC1412EOA
    Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 2A HS INV 8SOIC
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2003
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    470mW
    4.5V~16V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    40
    TC1412
    8
    2A
    1mA
    470mW
    45 ns
    Inverting
    45 ns
    26ns
    26 ns
    18ns 18ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    0.05 μs
    2A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    2A 2A
    YES
    0.05 μs
    1.55mm
    5mm
    3.99mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • IXYS Integrated Circuits Division
    IXDD609SIA
    IXYS Integrated Circuits Division
    IC GATE DVR 9A NON-INV 8-SOIC
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    0.8V 3V
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    2010
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    4.5V~35V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2A
    -
    -
    30 ns
    Non-Inverting
    60 ns
    22ns
    15 ns
    22ns 15ns
    -
    Single
    1
    -
    -
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    8-SOIC
    540.001716mg
    125°C
    -40°C
    1
    1
    35V
    4.5V
    10μA
    2A
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