TC4422ESM备选型号: TC4421ESM

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 电压 - 供电
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 功能数量
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 最大输出电流
  • 内存大小
  • 电源电流
  • 功率耗散
  • 输出电流
  • 最大电源电流
  • 传播延迟
  • 输入类型
  • 接通延迟时间
  • 数据总线宽度
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 核心架构
  • 上升/下降时间(Typ)
  • 最高频率
  • 接口IC类型
  • 信道型
  • 可编程I/O数
  • 驱动器数量
  • 输入偏置电流
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流(源极,漏极)
  • 高边驱动器
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microchip Technology
    Microchip TC4422ESM; MOSFET Power Driver 9A; 4.5 to 18V; Non-Inverting; 8-Pin SOIJ
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    750mW
    4.5V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    40
    TC4422
    8
    9A
    3.5kB
    200μA
    750mW
    2A
    1.5mA
    60 ns
    Non-Inverting
    60 ns
    8b
    60ns
    60 ns
    PIC
    60ns 60ns
    4MHz
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    13
    1
    10μA
    9A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    YES
    1.98mm
    5.26mm
    5.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Microchip Technology
    IC MOSFET DVR 9A HS INV 8-SOIJ
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.209, 5.30mm Width)
    8
    Low-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tube
    2004
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    750mW
    4.5V~18V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    40
    TC4421
    8
    9A
    -
    1.5mA
    750mW
    -
    1.5mA
    60 ns
    Inverting
    60 ns
    -
    75ns
    75 ns
    -
    60ns 60ns
    -
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    -
    1
    10μA
    9A
    IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
    9A 9A
    YES
    1.98mm
    5.26mm
    5.25mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
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