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首页 全部分类 TC4627EOE vs TC4626EOE

TC4627EOE备选型号: TC4626EOE

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  • 电源电流
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  • 下降时间（典型值）
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  • 接通时间
  • 输出峰值电流限制-名
  • 闸门类型
  • 峰值输出电流（源极，漏极）
  • 高边驱动器
  • 关断时间
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC4627EOE
    Microchip Technology
    MICROCHIP - TC4627EOE - MOSFET DRIVER HIGH/LOW-SIDE, SOIC-16
    14 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    High-Side or Low-Side
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    760mW
    4V~6V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    5V
    1MHz
    40
    TC4627
    16
    1.5A
    5V
    2.5mA
    760mW
    2.5mA
    55 ns
    Non-Inverting
    55 ns
    40ns
    35 ns
    33ns 27ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    0.06 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.07 μs
    2.34mm
    10.49mm
    7.59mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • Microchip Technology
    TC4626EOE
    Microchip Technology
    IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC
    6 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    16-SOIC (0.295, 7.50mm Width)
    16
    High-Side or Low-Side
    -40°C~85°C TA
    Tube
    2002
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    16
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    760mW
    4V~6V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    5V
    1MHz
    40
    TC4626
    16
    1.5A
    5V
    2.5mA
    760mW
    2.5mA
    55 ns
    Inverting
    55 ns
    40ns
    35 ns
    33ns 27ns
    基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器
    Single
    1
    0.06 μs
    1.5A
    N-Channel, P-Channel MOSFET
    1.5A 1.5A
    YES
    0.07 μs
    2.34mm
    10.49mm
    7.59mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
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