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首页 全部分类 TC6320K6-G vs DMP56D0UFB-7

TC6320K6-G备选型号: DMP56D0UFB-7

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  • 晶体管元件材料
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  • 包装
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 基本部件号
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 上升时间
  • 极性/通道类型
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 端子表面处理
  • 元素配置
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microchip Technology
    TC6320K6-G
    Microchip Technology
    Trans Mosfet N/p-ch 200V 8-PIN SOIC T/r
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    8-VDFN Exposed Pad
    8
    37.393021mg
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    DUAL
    260
    40
    TC6320
    2
    增强型MOSFET
    10 ns
    N and P-Channel
    SWITCHING
    7 Ω @ 1A, 10V
    2V @ 1mA
    110pF @ 25V
    15ns
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    15 ns
    5.2A
    7Ohm
    200V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    1.37mm
    4.89mm
    3.91mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP56D0UFB-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
    15 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    3-UFDFN
    3
    -
    -
    200mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    4.46 ns
    P-Channel
    -
    6 Ω @ 100mA, 4V
    1.2V @ 250μA
    50.54pF @ 25V
    6.63ns
    -
    15 ns
    200mA
    -
    -
    -
    -
    480μm
    1.08mm
    675μm
    无
    ROHS3 Compliant
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    Single
    0.58nC @ 4V
    50V
    ±8V
    8V
    0.2A
    无SVHC
    无铅
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