Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7
- 收藏
- 对比
DMP56D0UFB-7
671-DMP56D0UFB-7
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
3-UFDFN
大陆
立即发货

MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
1最小包装量--
DMP56D0UFB-7详情
Diodes Incorporated DMP56D0UFB-7重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
15 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
3-UFDFN
引脚数
3
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4V
Power Dissipation (Max)
425mW Ta
Turn Off Delay Time
21.9 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e4
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
元素配置
Single
接通延迟时间
4.46 ns
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 100mA, 4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50.54pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.58nC @ 4V
上升时间
6.63ns
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±8V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
高度
480μm
长度
1.08mm
宽度
675μm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
DMP56D0UFB-7拓展信息
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated









哦! 它是空的。