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首页 全部分类 TD352IDT vs IRS21171STRPBF

TD352IDT备选型号: IRS21171STRPBF

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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • 资历状况
  • 输出峰值电流限制-名
  • 高压侧电压-最大值(自举)
  • 高度
  • STMicroelectronics
    TD352IDT
    STMicroelectronics
    IC IGBT/MOSFET DRIVER ADV 8-SOIC
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    540.001716mg
    0.8V 4.2V
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e4
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    500mW
    12V~26V
    DUAL
    鸥翼
    260
    1
    16V
    30
    TD352
    8
    1.7A
    2.5mA
    500mW
    500 ns
    Non-Inverting
    500 ns
    100ns
    100 ns
    100ns 100ns Max
    基于半桥的外设驱动器
    Single
    1
    2.2 µs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    1.3A 1.7A
    0.4 µs
    OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE
    水槽
    4.9mm
    3.9mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRS21171STRPBF
    Infineon Technologies
    IC DRIVER HI SIDE SGL 600V 8SOIC
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    High-Side
    -40°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    Obsolete
    2 (1 Year)
    8
    EAR99
    -
    625mW
    10V~20V
    DUAL
    鸥翼
    未说明
    1
    15V
    未说明
    IRS21171SPBF
    -
    600mA
    -
    625mW
    230 ns
    Non-Inverting
    230 ns
    130ns
    65 ns
    75ns 35ns
    基于缓冲器或反相器的外设驱动器
    Single
    1
    0.2 μs
    IGBT, N-Channel MOSFET
    290mA 600mA
    -
    TRANSIENT; UNDER VOLTAGE
    水槽
    4.9784mm
    3.9878mm
    -
    符合RoHS标准
    -
    1996
    不合格
    0.2A
    600V
    1.4986mm
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