THS4011CDR备选型号: ISL55001IBZ
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 包装方式
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 基本部件号
- 引脚数量
- 工作电源电流
- 电源电流
- 功率耗散
- 压摆率
- 放大器类型
- 共模拒绝率
- 输入偏正电流
- 电压 - 电源,单/双路(±)
- 每个通道的输出电流
- 输入失调电压(Vos)
- 带宽
- 负电源电压(Vsup)
- 统一增益 BW-(标准值)
- 电压增益
- 电源抑制比
- 低偏移
- 频率补偿
- 电压 - 输入断态
- 低偏压
- 微功率
- 最大偏置电流 (IIB) @25C
- 可编程电源
- 输入失调电流-最大值(IIO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 器件厚度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 工作电源电压
- 温度等级
- 电路数量
- 最大电源电压
- 最小电源电压
- 电源类型
- 增益带宽积
- 增益
- 最大双电源电压
- -3db 带宽
- 最小双电源电压
- 双电源电压
- 输入电压噪声密度
- 输入噪声电流密度
- 达到SVHC
- IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOICACTIVE (Last Updated: 1 day ago)6 WeeksGold表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)875.891673mg10°C~70°CTape & Reel (TR)e4yes活跃1 (Unlimited)8EAR99TR740mWDUAL鸥翼260115VTHS401187.8mA9.5mA740mW310V/μs电压反馈90 dB2μA9V~32V ±4.5V~16V110mA6mV290MHz-15V290000 kHz81.58dB75dBNOYES1mVNONO6μANO0.25μA1.75mm4.9mm3.91mm1.58mm无ROHS3 Compliant无铅--------------------
- INTERSIL ISL55001IBZOperational Amplifier, Single, 220 MHz, 1 Amplifier, 280 V/s,2.5V to15V, SOIC, 8 Pins-6 Weeks-表面贴装-SOIC8540.001716mg---e3-活跃3 (168 Hours)8EAR99---鸥翼2601--89mA--280 V/μsOPERATIONAL AMPLIFIER90 dB1.72μA-145mA3mV220MHz--84.61dB90dB--------1.5mm5mm4mm-无符合RoHS标准无铅2005Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°C3028VINDUSTRIAL130V4.5VDual, Single70MHz1 dB15V220MHz2.25V12V12nV/sqrt Hz1.5pA/sqrt Hz无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | LMH6654MA/NOPB | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC | 对比 |
![]() | ISL55001IBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | SOIC | INTERSIL ISL55001IBZOperational Amplifier, Single, 220 MHz, 1 Amplifier, 280 V/s,2.5V to15V, SOIC, 8 Pins | 对比 |
![]() | THS4041IDR | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC | 对比 |




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