THS4041IDR备选型号: ISL55190IBZ
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 包装方式
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 功能数量
- 电源电压
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
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- 资历状况
- 工作电源电流
- 电源电流
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- 压摆率
- 放大器类型
- 共模拒绝率
- 输入偏正电流
- 电压 - 电源,单/双路(±)
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- 电压增益
- 电源抑制比
- 低偏移
- 频率补偿
- 电压 - 输入断态
- 低偏压
- 微功率
- -3db 带宽
- 最大偏置电流 (IIB) @25C
- 可编程电源
- 长度
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 温度等级
- 通道数量
- 最大电源电压
- 最小电源电压
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- 建筑学
- 电源类型
- 平均偏置电流-最大值 (IIB)
- 最大双电源电压
- 最小双电源电压
- 宽频
- 输入电压噪声密度
- 输入噪声电流密度
- 高度
- 宽度
- 辐射硬化
- IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC表面贴装表面贴装8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)875.891673mg1-40°C~85°CTape & Reel (TR)Obsolete1 (Unlimited)8EAR99TAPE AND REEL740mWDUAL鸥翼未说明115V未说明THS40418不合格8mA9.5mA740mW400V/μs电压反馈80 dB2.5μA9V~32V ±4.5V~16V100mA10mV150MHz60MHz-15V45000 kHz76dB75dBNOYES2.5mVNONO165MHz6μANO4.9mmROHS3 Compliant无铅---------------------
- IC OPAMP VFB 800MHZ RRO 8SOIC表面贴装-SOIC8540.001716mg---活跃3 (168 Hours)8EAR99---鸥翼26015V40-8-30mA--268 V/μsOPERATIONAL AMPLIFIER80 dB25μA-130mA300μV-800MHz-800000 kHz115dB80dBYESYES-NONO--NO5mm符合RoHS标准-2006e3Matte Tin (Sn) - annealed85°C-40°CINDUSTRIAL15V3V20mAVOLTAGE-FEEDBACKDual, Single40μA2.5V1.5VYES1.2nV/sqrt Hz6pA/sqrt Hz1.5mm4mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ISL55190IBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | SOIC | IC OPAMP VFB 800MHZ RRO 8SOIC | 对比 |
![]() | THS4011CDR | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC | 对比 |
![]() | LMH6624MA/NOPB | Texas Instruments | 线性器件 - 放大器 - 仪器、运算放大器、缓冲放大器 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | IC OPAMP VFB 1 CIRCUIT 8SOIC | 对比 |




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