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首页 全部分类 TK10A60E,S5X vs FCPF11N60

TK10A60E,S5X备选型号: FCPF11N60

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  • 元素配置
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK10A60E,S5X
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET PLN MOS 600V 750mOhm (VGS=10V) TO-220SIS
    16 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    6.000006g
    10A Ta
    4V @ 1mA
    150°C TJ
    Tube
    活跃
    1 (Unlimited)
    750mOhm
    1
    Single
    N-Channel
    750m Ω @ 5A, 10V
    1300pF @ 25V
    40nC @ 10V
    600V
    ±30V
    10A
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FCPF11N60
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 11A TO220F
    6 Weeks
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    2.27g
    11A Tc
    5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 2 days ago)
    1 (Unlimited)
    380MOhm
    -
    Single
    N-Channel
    380m Ω @ 5.5A, 10V
    1490pF @ 25V
    52nC @ 10V
    -
    ±30V
    11A
    ROHS3 Compliant
    通孔
    3
    SILICON
    SuperFET™
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    600V
    11A
    增强型MOSFET
    36W
    ISOLATED
    34 ns
    SWITCHING
    98ns
    56 ns
    5V
    TO-220AB
    30V
    600V
    9.19mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无
    无铅
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