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首页 全部分类 TK13A60D(STA4,Q,M) vs FDPF16N50

TK13A60D(STA4,Q,M)备选型号: FDPF16N50

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  • 辐射硬化
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
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  • 无铅代码
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    TK13A60D(STA4,Q,M)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET N-CH 600V 13A TO220SIS
    16 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    TO-220SIS
    10V
    4V @ 1mA
    1997
    π-MOSVII
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    50W
    N-Channel
    430mOhm @ 6.5A, 10V
    2300pF @ 25V
    40nC @ 10V
    50ns
    600V
    ±30V
    25 ns
    13A
    30V
    2.3nF
    430 mΩ
    符合RoHS标准
    无
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDPF16N50
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 500V 16A TO-220F
    4 Weeks
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    -
    16A Tc
    5V @ 250μA
    2004
    UniFET™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    1 (Unlimited)
    -
    -
    38.5W
    N-Channel
    380m Ω @ 8A, 10V
    1945pF @ 25V
    45nC @ 10V
    150ns
    -
    ±30V
    80 ns
    16A
    30V
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    2.27g
    SILICON
    e3
    yes
    3
    EAR99
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    40 ns
    SWITCHING
    5V
    TO-220AB
    500V
    64A
    780 mJ
    15.87mm
    10.16mm
    4.7mm
    无SVHC
    无铅
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