Toshiba Semiconductor and Storage TK13A60D(STA4,Q,M)

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220SIS

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

13A Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

50W Tc

Number of Elements

1

已出版

1997

系列

π-MOSVII

包装

Tube

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

功率耗散

50W

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

430mOhm @ 6.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

40nC @ 10V

上升时间

50ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±30V

下降时间（典型值）

25 ns

连续放电电流(ID)

13A

栅极至源极电压(Vgs)

30V

输入电容

2.3nF

最大rds

430 mΩ

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无